【摘 要】
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铌酸锂晶体具有良好的电光、声光、压电和光折变等特性,尤其是实施不同掺杂后能呈现出多种特殊性能,被誉为"光学硅".铌酸锂晶体的掺杂工程主要分为两类:掺入Mg、 In、Zr等元
【机 构】
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南开大学物理科学学院,天津300071南开大学物理科学学院,天津300071;南开大学泰达应用物理研究,天津300457南开大学泰达应用物理研究,天津300457
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铌酸锂晶体具有良好的电光、声光、压电和光折变等特性,尤其是实施不同掺杂后能呈现出多种特殊性能,被誉为"光学硅".铌酸锂晶体的掺杂工程主要分为两类:掺入Mg、 In、Zr等元素[1],可以提高铌酸锂晶体的抗光损伤性能,有利于晶体倍频、调Q等方面的应用;掺入Fe、Mn、Mo等元素[2],可以有效的提高铌酸锂晶体的光折变性能,使晶体更好的用于全息存储领域.然而,光折变全息存储广泛使用的掺铁铌酸锂晶体存在诸如光挥发性和响应慢等缺点.此外,现阶段报道的铌酸锂晶体的掺杂,以金属离子掺杂为主,掺杂离子在铌酸锂晶格中占据铌位或锂位,少有非金属元素掺杂.因此,我们提出,如果掺杂离子是氧化性较强的非金属元素(比如-1价的Cl),那么其在铌酸锂晶体中是否会占据氧位并形成新的缺陷,从而表现出新的性能?
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