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会议论文
半导体纳米材料的晶体结构缺陷与阴极射线荧光性能研究
半导体纳米材料的晶体结构缺陷与阴极射线荧光性能研究
来源 :第17届全国晶体生长与材料学术会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户:w11425635
【摘 要】
:
以GaN为代表的宽禁带半导体纳米材料在纳米光学、纳米电子学、纳米光电子学领域具有潜在应用价值。[1-5] 半导体纳米材料的尺寸、成分、结晶度、生长取向及晶体结构缺陷
【作 者】
:
刘宝丹
刘青云
杨兵
姜辛
【机 构】
:
中国科学院金属研究所
【出 处】
:
第17届全国晶体生长与材料学术会议
【发表日期】
:
2015年期
【关键词】
:
半导体纳米材料
晶体结构缺陷
阴极射线荧光
纳米光电子学
纳米电子学
应用价值
性能影响
生长取向
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以GaN为代表的宽禁带半导体纳米材料在纳米光学、纳米电子学、纳米光电子学领域具有潜在应用价值。[1-5] 半导体纳米材料的尺寸、成分、结晶度、生长取向及晶体结构缺陷与光电性能之间关系密切,尤其是晶体结构缺陷对其发光性能影响显著。
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