【摘 要】
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采用PECVD技术,使用湖南共创光伏科技有限公司产业化生产线在p-i-n/p-i-n型非晶硅/微晶硅叠层太阳电池的底电池微晶硅本征层与微晶硅n层之间引入一层n型非晶硅层.结果表明,该
【机 构】
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湖南共创光伏科技有限公司,衡阳 421005
【出 处】
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第十四届中国光伏大会暨2014中国国际光伏展览会
论文部分内容阅读
采用PECVD技术,使用湖南共创光伏科技有限公司产业化生产线在p-i-n/p-i-n型非晶硅/微晶硅叠层太阳电池的底电池微晶硅本征层与微晶硅n层之间引入一层n型非晶硅层.结果表明,该层对于微晶硅生长缺陷引起的问题起到了很好的改善作用.n型非晶硅层的引入使叠层电池的开路电压和转换效率得到明显提升,相比于未引入n型非晶硅层的参考电池,当n型非晶硅层的厚度为8nm时,电池的开路电压平均值由72.9V提高到73.6V,转换效率由10.63％提升到了10.74％.
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