【摘 要】
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金属有机化合物化学气相沉积(MOCVD)技术制备的掺硼氧化锌(BZO)透明导电氧化物(TCO)前电极,具有天然形成的“类金字塔”绒面结构,可以为PIN型硅基薄膜太阳电池提供有效的陷光
【机 构】
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南开大学光电子薄膜器件与技术研究所,光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室,光学信息技术科学教育部重点实验室,天津 300071
【出 处】
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第十四届中国光伏大会暨2014中国国际光伏展览会
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金属有机化合物化学气相沉积(MOCVD)技术制备的掺硼氧化锌(BZO)透明导电氧化物(TCO)前电极,具有天然形成的“类金字塔”绒面结构,可以为PIN型硅基薄膜太阳电池提供有效的陷光能力.但是,其尖锐的表面形貌会导致电池的有源层中裂缝、孔洞等缺陷增多,从而削弱电池的开路电压以及填充因子.本文提出采用磁控溅射工艺,对BZO薄膜表面尖锐的形貌进行修饰.经过不同溅射功率(0～380W)处理后,实验获得的BZO薄膜表面被成功修饰,尖锐的“类金字塔”消失,呈现“类弹坑”状表面形貌,显著提高了非晶硅薄膜太阳电池的开路电压、填充因子以及光电转换效率.
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