【摘 要】
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X射线光刻目前被认为是替代光学光刻进入深亚微米制造领域的最有希望的几种技术之一,X射线光刻技术进入工业化生产的关键是需要解决光刻掩模制造技术。该文报道了在高温下采用LPCVD方
【出 处】
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第十届全国电子束、离子束、光子束学术年会
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X射线光刻目前被认为是替代光学光刻进入深亚微米制造领域的最有希望的几种技术之一,X射线光刻技术进入工业化生产的关键是需要解决光刻掩模制造技术。该文报道了在高温下采用LPCVD方法制备低张应力SiN〈,X〉薄膜的工艺过程,获得的SiN〈,X〉薄膜具有低张应力,高透光率特性,成品率和重复性增多有大幅度提高。可用于X射线掩模制造。
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