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InP材料具有较大的击穿电压和电子迁移率，而且与其晶格匹配的In0.52A10.48As/In0.53GaO.47As异质结的导带具有较大的不连续性，可更好对二维电子气进行限制。其次，InP基HEMT器件沟道层采用具有高电子迁移率的InGaAs材料，因而可获得更高的电子迁移率，使得器件工作频率得以大幅提升。本文首先介绍了HEMT的工作原理，并基于此原理讨论了InP基HEMT器件结构的设计与优化方法，最后对现有工作于THz波段的InP基HEMT研究与应用进行了相关介绍。