【摘 要】
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在CVD系统中,将高纯度ZnO粉末(＞99.95％)置于炉管中心高温蒸发区,经过清洗处理后的Si(100)基片置于生长区,表面向上,基片表面没有镀金属膜催化剂.炉管内保持在200～300 Torr的真空度,以升温率25℃/min的速度将炉中蒸发区温度上升到1 350℃,开始通传输气体Ar气,流量为40 sccm,蒸发区保持1 350℃的恒温25 min.
【机 构】
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西南石油大学 理学院,成都610500 电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室,成都6100
【出 处】
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2010(第三届)中国微纳电子技术交流与学术研讨会
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在CVD系统中,将高纯度ZnO粉末(＞99.95％)置于炉管中心高温蒸发区,经过清洗处理后的Si(100)基片置于生长区,表面向上,基片表面没有镀金属膜催化剂.炉管内保持在200～300 Torr的真空度,以升温率25℃/min的速度将炉中蒸发区温度上升到1 350℃,开始通传输气体Ar气,流量为40 sccm,蒸发区保持1 350℃的恒温25 min.
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