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紫外OLED 在高密度信息存储和激发光源等领域中具有广阔的应用前景而成为当前OLED 的重要研究方向之一。然而紫外OLED 的空穴注入势垒很大,造成载流子不平衡,限制了器件性能的提高。本文利用适当厚度的电子注入层LiF 和电子传输层Bphen 具有较弱的电子注入与传输能力这一特征,在一定程度上解决了紫外有机发光器件中空穴注入弱等棘手问题,改善了载流子平衡。