【摘 要】
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紫外线的消毒是经过百年验证的严肃科学结论.在上个世纪初1903年,丹麦科学家Niels Ryberg Finsen (1860-1904)发现了紫外线可以杀灭结核病毒,获得诺贝尔奖.经过科学家的深入研究,确认深紫外线可以将细菌的DNA或RNA基因链打碎,使其不可复制,从而达到杀菌的目的.
【机 构】
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紫外线的消毒是经过百年验证的严肃科学结论.在上个世纪初1903年,丹麦科学家Niels Ryberg Finsen (1860-1904)发现了紫外线可以杀灭结核病毒,获得诺贝尔奖.经过科学家的深入研究,确认深紫外线可以将细菌的DNA或RNA基因链打碎,使其不可复制,从而达到杀菌的目的.
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GaN based LEDs and HEMTs have been widely used for SSL and base-station applications, respectively.They enable dramatic energy savings compared to currently-used incandescent bulbs, fluorescent lamps
被称为第三代半导体的氮化镓(GaN)基材料光谱覆盖了近红外到深紫外波段,在光电子学领域有重要的应用价值.GaN基激光器和紫外探测器管是重要的两种光电子器件,在激光测距、紫外通信等领域有重要的应用前景,也是当今世界的研究热点.
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氮化镓材料是新型半导体材料，具有优异的光电特性。但由于缺少氮化镓同质衬底，导致材料中存在很高的缺陷密度，严重制约了其性能的进一步提高。若采用GaN衬底实现同质外延，不仅可以解决氮化物外延材料缺陷密度高、难以解理、器件可靠性差等问题，而且可以发展垂直结构的新型电子、光电子器件，大幅度提高器件性能。氮化镓衬底相对于蓝宝石、碳化硅等衬底的性能优势显而易见，但最大难题在于价格过高。因此，国际上一般认为：谁
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GaN基HEMT在大功率和高频器件方面应用广泛.虽然目前硅衬底上生长的GaN层和AlGaN/GaN异质结外延的质量还不及在SiC衬底，但是硅衬底在降低产品成本，开发大功率器件，整合硅基光电子集成等方面极具前景.采用MOCVD在Si衬底(111)面生长了GaN/AlGaN异质结构.研究了不同缓冲层和GaN层生长条件对GaN外延层晶体质量和电阻率的影响.结果表明，通过优化生长参数能够获得表面质量好、无
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表面等离激元(SP)是金属/介质界面上金属电子的集体振荡模式.美国加州理工的Okamoto等人报道了在LED表面的适当距离上蒸镀金属薄膜,得到了17倍光致发光(PL)的增强[1].一般地认为,SP提供了LED非辐射复合能量辐射出射的通道,而这样的通道将有效提高绿光LED及大注入条件下的LED发光效率.
本报告介绍在InGaN/GaN MQWs LED中的一种新奇的波长和内量子效率关系.与传统结构相比,我们在生长每一层InGaN量子阱之前预沉积In原子.常温光致荧光谱(PL)显示随着预沉积时间的增加,LED波长向长波长方向移动;高分辨X射线衍射(HRXRD)数据表明新结构量子阱中的厚度几乎没有发生变化,但其In组分有稍微的增加,并且其晶体质量得到改善.
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