应用田口式实验计画法研究低压ZnO Varistor

来源 :第十一届电压敏学术年会暨海峡两岸首次技术研讨会 | 被引量 : 0次 | 上传用户:thomson888
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本文利用田口式实验计画法,研究了配方组成参数对低压氧化锌变阻器的影响,找出了最佳化特性组件配方为A2B3C3D1E3F2G1H2,并经确确认实验证实该配方的特性良好,组件崩溃电场约22V/mm,非线性指数达30以上,抑制电压与崩溃电压比值约1.7,而10Φ组件经1000A雷击波后的位移量小于1%。
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