Ag掺杂对CIGS背梯度的影响

来源 :第七届新型太阳能电池材料科学与技术学术研讨会 | 被引量 : 0次 | 上传用户：lantianaaaaa

【摘要】

：

铜铟镓硒(Cu(In,Ga)Se2)薄膜太阳电池具有效率高、弱光性能好、稳定不衰退等优点,是当前最具有前景的薄膜太阳电池之一.铜铟镓硒薄膜是一种由铜、铟、镓和硒四种元素化合成的四元化合物半导体,其根据不同的Ga/(In+Ga)比,带隙可以在1.04-1.67eV 内连续可调.

【作者】

：

张运祥胡朝静程世清何志超刘芳芳周志强刘玮孙云

【机构】

：

南开大学电子信息与工学工程学院,光电子薄膜器件与技术研究所,天津市光电子薄膜器件与技术重点实验室

【出处】

：

第七届新型太阳能电池材料科学与技术学术研讨会

【发表日期】

：

2020年7期

【关键词】

：

Cu(In Ga)Se2 背梯度 Ag 短路电流密度

下载到本地 , 更方便阅读

下载此文赞助VIP

声明 : 本文档内容版权归属内容提供方 , 如果您对本文有版权争议 , 可与客服联系进行内容授权或下架

论文部分内容阅读

其他文献

全面积效率为12.4%、电压损失低于0.30V的CZTSSe太阳能电池:Sn4+前驱体在DMSO溶液中的使用

大的开路电压损失(Voc,def)是制约锌黄锡矿结构的CZTSSe 太阳能电池效率提高的关键因素,目前12.6％世界纪录效率CZTSSe 电池的Voc,def 为0.345 V[1].本文分别以SnCl4 和SnCl2·2H2O 为锡的前驱体化合物研究二甲基亚砜(DMSO)溶液法制备的CZTSSe 太阳能电池的开路电压损失问题.

会议

Sn4+前驱体铜锌锡硫太阳能电池开路电压损失化学反应路径异质结热处理

基于溅射后硒化法制备开路电压504mV的Sb2Se3薄膜太阳电池

硒化锑(Sb2Se3)凭借原材料绿色低毒、价格低廉、一维结构贡献良性晶界、二元单相组成易于制备、理想带隙匹配高吸光系数、优异的载流子迁移率及介电常数等优势，在新型高效低成本薄膜太阳电池研究领域引起广泛关注。

会议

Sb2Se3薄膜太阳电池开路电压溅射硒化元素扩散

Efficient Cu2ZnSn(Se,S)4 solar cells with 79%fill factor using two-step annealing

A processing based on CZTS or CZTSe quaternary target sputtering has been developed as alternative one [1-2].As the as-deposited precursor is usually crystallinity-poor and sulfur-poor,heat treatment,

会议

Kesterite solar cellsFill FactorTwo-step annealingQuaternary target

基于SPS烧结制备的高效CZTS太阳能电池

在磁控溅射中单靶溅射具有成本低、影响参数少和制备过程简单易重复等特点，目前在制备磁控溅射靶材制备上的报道较少。热压法制备溅射靶材，需要长时间的高温烧结，这不仅会造成能源的浪费，而且会加大靶材制备的难度。

会议

放电等离子烧结单靶溅射磁控溅射CZTS

CZTSSe薄膜的晶体工程

近年来,Cu2ZnSn(S,Se)4(CZTSSe)薄膜太阳能电池由于元素组成绿色丰富、理论最高效率超过30％、极具发展前景而受到了广泛的关注.但是,到目前为止,CZTSSe的最高认证效率仅为12.6％,,不仅远低于理论最高效率,还低于Cu(In,Ga)Se2(CIGS)(23.35％)和CdTe(22.1％)的最高认证效率.

会议

晶体工程生长机制元素组成形貌缺陷

铜锌锡硫硒前驱溶液调控及其高效光伏器件研究

近年来的一些研究表明,前驱溶液的状态如元素价态、配体分子种类等对于制备高效率铜锌锡硫硒(CZTSSe)电池而言是至关重要的。本工作中,我们从巯基乙酸(TGA)-氨水溶液体系出发,通过红外、核磁和拉曼技术研究了前驱体溶液中,TGA分子与金属离子之间配位形式和配位结构的衍变过程。

会议

CZTSSe氨水巯基乙酸配位调控

Deep Level Defect in Quasi-Vertically Oriented CuSbS2 Thin Film

The anomalous optoelectronic properties of quasi-vertical orientated Chalcostibite CuSbS2 thin film synthesized on glass substrate was studied in details.

会议

CuSbS2Quasi-Vertical OrientationDeep Level Defect

预热温度对CuInGaSe2/CdS界面和器件性能的影响

通过硒化溅射CuInGa 合金靶得到的CIG 合金预制膜是一种制备结晶性良好的CuInGaSe2 吸收层的方法。这种方法能够保证薄膜大面积的均匀性、生产高效率和低成本，但是得到的吸收层比较粗糙。硒化过程中硒的化合会导致薄膜体积的剧烈变化，从而带来较大的表面粗糙度和劣化的CuInGaSe2/CdS 界面性能[1]。

会议

铜铟镓硒溅射CuInGa靶材硒化退火CuInGaSe2/CdS界面

Efficient and Stable Planar n-i-p Sb2Se3 Solar Cells Enabled by Oriented Trigonal Selenium Structure

Environmentally benign and potentially cost-effective Sb2Se3 solar cells have drawn much attention by continuously achieving new power conversion efficiency records.

会议

Sb2Se3 solar cellsn-i-p structuretrigonal seleniumorientation

Defects in Sb2S3 and Sb2Se3

One important bottleneck in the development of Sb2S3 solar cells is the high electrical resistivity ofSb2S3.Our first-principles calculations reveal that the high resistivity results from the compensa

会议

defectsSb2S3Sb2Se3first-principlescalculation

Ag掺杂对CIGS背梯度的影响

与本文相关的学术论文