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该文介绍了CMOS模数混合电路的总剂量效应研究，以逐次逼近型转换器ADC0809为试 验样品，辐照源为Co-60γ射线源。通过试验研究。获得了ADC0809总剂量损伤阈值和ADC0809参考电压、输入－输出特性随总剂理、剂量率变化曲线。分析了逐次逼近型模数转换器的 电离辐射损伤机制给出了ADC0809器件总剂量失效模式，第一，电离辐射使器件内部模拟单 元发生变化，在比较器输入端引入噪音，使运算放大器失调增加，共模电压范围变窄，共模抑制比下降。第二，辐射引起器件内部９数字功能电路中MOSFET阈值电压漂移，导致整个器件功能失效。