【摘 要】
:
作为极紫外光刻机的一个关键子系统,真空工件台的运行精度、速度、加速度以及动态定位和扫描同步性能是影响整机成像质量、套刻精度和产率的重要因素.对于工件台的结构设计,体积小、轻量化、好的散热性是基本要求.基于上述原因,本文设计了适用于45nm节点的极紫外光刻工件台系统,并用ansys软件对其进行了结构仿真分析.根据仿真结果,提出了优化设计方案.
【机 构】
:
中国科学院电工研究所,北京,100080
【出 处】
:
第十三届全国电子束、离子束、光子束学术年会
论文部分内容阅读
作为极紫外光刻机的一个关键子系统,真空工件台的运行精度、速度、加速度以及动态定位和扫描同步性能是影响整机成像质量、套刻精度和产率的重要因素.对于工件台的结构设计,体积小、轻量化、好的散热性是基本要求.基于上述原因,本文设计了适用于45nm节点的极紫外光刻工件台系统,并用ansys软件对其进行了结构仿真分析.根据仿真结果,提出了优化设计方案.
其他文献
高频声表面波器件制作成声表面波器件的特点,对影响刻蚀的主要工艺参数进行了较深入的研究,并应用于660MHz高频声表面波器件的制备,使其电性能及成品率改善明显,其中成品率从30﹪提高到60﹪以上.
本文采用溅射法在LTCC基板上沉积金属层,从而克服了LTCC基板微带线耐焊性差及附着力差的缺点,实践效果较好.
在γ、n混合场中测量脉冲辐射时,探测器的γ、n甄别能力是使用者特别关注的特性之一,本工作针对φ60mm×600μm硅PIN新型半导体探测器,用质能吸收系数法计算了γ灵敏度,用国外文献中提供的截面相关数据计算了中子灵敏度;对其部分能量点的γ、n灵敏度进行了实验测量检验;研究结果表明:对于6MeV以内的中子,φ60mm×600μm硅PIN探测器的γ灵敏度均高于相应能量的中子灵敏度,中子能量越低,探测器
本文介绍一种先进的ICP硅深槽刻蚀工艺,在刻蚀周期中引入少量的O2,形成由CFx聚合物淀积和氧离子幅照产生的双层保护层,强烈保护硅槽侧壁不被刻蚀,保证了高的各向异性刻蚀,有效的改善了硅深槽侧壁形貌,使得侧壁平坦光滑.
高选择比反应离子刻蚀(RIE)设备,主要应用于器件制造中Si、Si3N4材料的刻蚀[1].本文介绍了一种用于硅的高选择比反应离子刻蚀设备,刻蚀选择比≥5∶1.着重阐述了该设备的结构组成、工艺原理及控制方法.
可编程的只读存取器(PROM)作为一次性写入存储器,由于其内容不可擦出,稳定性好,被广泛应用于高可靠性领域.而熔丝型PROM是只读存储器的一种,它是通过熔断熔丝来实现编程的,因此镍铬熔丝的质量直接影响存储器的性能.本文通过试验的数据介绍采用磁控溅射制备Ni-Cr薄膜的方法,并通过光刻、腐蚀等试验,找到最佳的腐蚀条件,得到符合要求的Ni-Cr薄膜.
本文主要就等离子体刻蚀技术进行了轮廓性的描述,阐述了在集成电路的深亚微米加工阶段其所面临的挑战与发展。
用原子力显微镜对不同淀积条件下制备的低应力LPCVD氮化硅薄膜的表面粗糙度进行了测量,发现了低应力LPCVD氮化硅薄膜的表面粗糙度可以在几个纳米到几个埃之间变化.同时发现在各种工艺条件中淀积压力对低应力LPCVD氮化硅薄膜的表面粗糙度影响最为显著.
牺牲层释放技术是制备薄膜器件的关键技术之一,牺牲层去除能释放表面硅工艺中的薄膜悬浮结构,或形成空腔.然而在释放过程中,多数情况下会出现粘连现象,导致结构失效.为解决该黏附问题,基于固态升华原理研制了一种牺牲层释放设备.结合牺牲层释放的特殊工艺要求,分析了其主要结构及特点.最后采用该设备对一种微机械可变衰减器进行了结构释放,实验证明该设备可以成功应用于富硅型低应力氮化硅薄膜器件的牺牲层释放工艺.
极紫外光刻中掩模板热变形是不可忽略的.本文采用有限元方法,针对工业化生产条件(80wafer-per-hour)计算掩模板热变形.抗蚀剂感光度为7mJ/em2时,x-y平面内最大变形为1.6rm,z方向最大变形为0.27nm.掩模板热变形引起掩模图形偏移,最大偏移为1.6nm.经过曝光显影,对于45nm密集线,掩模板热变形引起抗蚀剂图形的CD变化0.06nm、侧壁角度变化1.78°、抗蚀剂图形最大