【摘 要】
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本文简要介绍了电子装联中机箱布线设计的基本原则,并着重探讨了机箱、机柜的接地问题以及几种具体的接地方法和要求.
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本文简要介绍了电子装联中机箱布线设计的基本原则,并着重探讨了机箱、机柜的接地问题以及几种具体的接地方法和要求.
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采用Czochralski法,我们成功地生长了大尺寸GdCaO(BO)单晶.在对晶体的完整性进行检测的过程中发现:晶体中存在亚晶界,该晶界贯穿整个大单晶.由于亚晶界两边的单体存在取向差,在同步辐射形貌像中可观察到像漂移.根据高分辨X射线衍射所确定的取向差,我们计算了对应几个典型衍射的形貌像漂移,计算结果与从形貌像中测量的结果符合得很好.
本文报道了用MOCVD方法制备单晶GaN薄膜的紫外光电导特性.结果表明,没有进行Mg掺杂和弱掺杂的样品具有显著的光响应,而且光响应弛豫时间也较短,随着Mg掺杂波度的增加,光响应变小,且弛豫时间变长.
本文研究了加介质球磨混合粉末FeNi不同球磨时间的相结构以及压制成环状样品的磁性能.实验结果表明:不同球磨时间样品相的组成不同,晶粒直径和面心立方中Ni的百分含量随球磨时间的变化规律相同;在本实验条件下,球磨24h样品的软磁性能较好.
研究了不同温度(370~660℃)退火后的FeNbB合金初始磁导率μi与温度T的关系(μi~T曲线).实验结果表明,退火温度Ta对μi~T曲线的形状有较大的影响.根据Ta可将μi~T曲线划分为三种类型,相应的退火温度为(1)Ta=370℃;(2)Ta=420℃;(3)Ta=460~660℃.分析了这三种类型的μi~T曲线对应的合金相结构、讨论了μi随T变化的原因及双相纳米晶合金中晶体相体积百分数、
报道了用旋转水淬法制备直径130μm±2μmFeSiB非晶合金丝,其样品DSC测量表明,淬态样品在加热过程分别出现三个放热峰,峰温分别为788K、810K、852K.淬态样品分别经523K、573K、673K、793K,30min的热处理后,其磁阻抗值△V/V=[V(0)-V(70×10/4πAm)]/V(70×10/4πAm),随加热温度的升高,开始增大,当达673K时,样品△V/V达100℅,
研究了FeCuNbVSiB合金从非晶态到纳米晶态直至安全晶化态的磁性深化过程.结果显示在550℃退火0.5h的样品具有均匀的纳米结构和优异的软磁性能,当退火温度超过600℃后,晶粒长大超过交换长度,磁性显著恶化.
应用透射电镜观察、磁后效测量研究了经不同温度退火的FeCuNbVSiB合金的微观结构和稳定性.结果表明,在Ta=450~700℃区间,非晶相体积分数与磁后效随退火温度Ta有类似的变化关系.这表明磁后效主要来源于合金中的非晶相.同时,还发现样品在550℃退火0.5h后产生了均匀的纳米晶结构并具有优良的软磁性能,但也有着相当高的磁后效.
本文运用改进分析型EAM模型和分子动力学方法模拟计算了DOFeAl有序合金中原子的双空位形成能.计算结果表明:在Fe-Fe和Fe-Al双空位类型中,最近邻双空位组态的形成能最低,说明Fe-Fe和Fe-Al两个双空位有聚集的趋势,但Al-Al双空位不会发生聚集现象.在三种双空位类型中,Fe-Fe双空位形成能最低,为2.024eV,Fe-Al双空位形成能居中,为3.104eV,Al-Al双空位最高,为
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如何提高和保持SMT设备贴装率是摆在设备经多年使用后的管理者面前的迫切需要解决的问题,本文以旋转头贴片机为例,从多方面详细阐述影响设备贴装率低下的原因,并详细介绍了SMT设备常见故障的检查内容.