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本文简要介绍了电子装联中机箱布线设计的基本原则,并着重探讨了机箱、机柜的接地问题以及几种具体的接地方法和要求.
浅议电子装联中的布线与接地
【摘 要】
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本文简要介绍了电子装联中机箱布线设计的基本原则,并着重探讨了机箱、机柜的接地问题以及几种具体的接地方法和要求.
【机 构】
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信息产业部电子第29研究所
【出 处】
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第五届SMT/SMD学术研讨会
【发表日期】
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1999年4期
其他文献
采用Czochralski法,我们成功地生长了大尺寸GdCaO(BO)单晶.在对晶体的完整性进行检测的过程中发现:晶体中存在亚晶界,该晶界贯穿整个大单晶.由于亚晶界两边的单体存在取向差,在同步辐射形貌像中可观察到像漂移.根据高分辨X射线衍射所确定的取向差,我们计算了对应几个典型衍射的形貌像漂移,计算结果与从形貌像中测量的结果符合得很好.
本文报道了用MOCVD方法制备单晶GaN薄膜的紫外光电导特性.结果表明,没有进行Mg掺杂和弱掺杂的样品具有显著的光响应,而且光响应弛豫时间也较短,随着Mg掺杂波度的增加,光响应变小,且弛豫时间变长.
本文研究了加介质球磨混合粉末FeNi不同球磨时间的相结构以及压制成环状样品的磁性能.实验结果表明:不同球磨时间样品相的组成不同,晶粒直径和面心立方中Ni的百分含量随球磨时间的变化规律相同;在本实验条件下,球磨24h样品的软磁性能较好.
研究了不同温度(370～660℃)退火后的FeNbB合金初始磁导率μi与温度T的关系(μi～T曲线).实验结果表明,退火温度Ta对μi～T曲线的形状有较大的影响.根据Ta可将μi～T曲线划分为三种类型,相应的退火温度为(1)Ta=370℃;(2)Ta=420℃;(3)Ta=460～660℃.分析了这三种类型的μi～T曲线对应的合金相结构、讨论了μi随T变化的原因及双相纳米晶合金中晶体相体积百分数、
报道了用旋转水淬法制备直径130μm±2μmFeSiB非晶合金丝,其样品DSC测量表明,淬态样品在加热过程分别出现三个放热峰,峰温分别为788K、810K、852K.淬态样品分别经523K、573K、673K、793K,30min的热处理后,其磁阻抗值△V/V=[V(0)-V(70×10/4πAm)]/V(70×10/4πAm),随加热温度的升高,开始增大,当达673K时,样品△V/V达100℅,
研究了FeCuNbVSiB合金从非晶态到纳米晶态直至安全晶化态的磁性深化过程.结果显示在550℃退火0.5h的样品具有均匀的纳米结构和优异的软磁性能,当退火温度超过600℃后,晶粒长大超过交换长度,磁性显著恶化.
应用透射电镜观察、磁后效测量研究了经不同温度退火的FeCuNbVSiB合金的微观结构和稳定性.结果表明,在Ta=450～700℃区间,非晶相体积分数与磁后效随退火温度Ta有类似的变化关系.这表明磁后效主要来源于合金中的非晶相.同时,还发现样品在550℃退火0.5h后产生了均匀的纳米晶结构并具有优良的软磁性能,但也有着相当高的磁后效.
本文运用改进分析型EAM模型和分子动力学方法模拟计算了DOFeAl有序合金中原子的双空位形成能.计算结果表明:在Fe-Fe和Fe-Al双空位类型中,最近邻双空位组态的形成能最低,说明Fe-Fe和Fe-Al两个双空位有聚集的趋势,但Al-Al双空位不会发生聚集现象.在三种双空位类型中,Fe-Fe双空位形成能最低,为2.024eV,Fe-Al双空位形成能居中,为3.104eV,Al-Al双空位最高,为
表面组装技术具有使电子产品小型化、轻型化,能提高产品的可靠性,实际生产中的部品损耗分为机器损耗,人为造成,损耗、部品不良造成的损耗,本文着重对机器所产生的损耗进行讨论.