【摘 要】
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报道了用旋转水淬法制备直径130μm±2μmFeSiB非晶合金丝,其样品DSC测量表明,淬态样品在加热过程分别出现三个放热峰,峰温分别为788K、810K、852K.淬态样品分别经523K、573K、673K、793K,30min的热处理后,其磁阻抗值△V/V=[V(0)-V(70×10/4πAm)]/V(70×10/4πAm),随加热温度的升高,开始增大,当达673K时,样品△V/V达100℅,
【机 构】
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东北大学材料科学与工程系(沈阳) 沈阳华源凯马车辆有限公司技术部(沈阳)
【出 处】
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第四届中国功能材料及其应用学术会议
论文部分内容阅读
报道了用旋转水淬法制备直径130μm±2μmFe<,78>Si<,9>B<,13>非晶合金丝,其样品DSC测量表明,淬态样品在加热过程分别出现三个放热峰,峰温分别为788K、810K、852K.淬态样品分别经523K、573K、673K、793K,30min的热处理后,其磁阻抗值△V/V=[V(0)-V(70×10<3>/4πAm<-1>)]/V(70×10<3>/4πAm<-1>),随加热温度的升高,开始增大,当达673K时,样品△V/V达100℅,随后加热温度升到793K时,△V/V值低于淬态样品.淬态样品分别通入200mA、400mA、600mA,30min直流电加热处理后,△V/V随外加直流磁场的变化与加热炉势处理样品相似.淬态样品通入600mA×30min电流加热处理后,△V/V高达120℅.
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采用射频磁控溅射技术制备了Ge-SiO薄膜,在N气氛下进行了不同温度的退火处理,分析了样品在室温下的光致发光(PL)特性.对薄膜的结构进行了表征,通过XRD、XPS、FTIR谱分析说明样品的发光特性与其结构相对应,394nm的发光是由GeO缺陷引起的,580nm的发光与SiO(X<2)中的某种发光中心相联系.
采用国产商用普通Gd和在此基础上提纯的高纯Gd制成GdSiGe两种样品,在220～300K温度范围内对样品进行热膨胀测试,然后在T=200K和T=298K温度下,进行X射线衍射测试,结果发现两种样品的晶体结构在低温区和在高温区是不同的,表明用商用Gd也能产生结构相变.
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