InAsGaSb二类超晶格红外探测器的MOCVD生长和制备

来源 :第十一届全国分子束外延学术会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户：TSNT1234

【摘要】

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锑化物InAs/GaSb二类超晶格探测器是继碲镉汞红外探测器,量子阱红外探测器之后兴起的高性能制冷型红外探测器,具有暗电流小、俄歇复合率低、波长调节范围大等优点.目前国内外

【作者】

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黄勇

【机构】

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中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所江苏省苏州市苏州工业园区若水路398号,215123

【出处】

：

第十一届全国分子束外延学术会议

【发表日期】

：

2015年8期

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锑化物InAs/GaSb二类超晶格探测器是继碲镉汞红外探测器,量子阱红外探测器之后兴起的高性能制冷型红外探测器,具有暗电流小、俄歇复合率低、波长调节范围大等优点.目前国内外的InAs/GaSb二类超晶格探测器均用MBE生长.由于MOCVD是工业界主流技术,并且能够对MBE材料和器件进行有效对比和补充,我们展开了用MOCVD生长InAs/GaSb二类超晶格探测器的工作.

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