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碳化硅材料的宽禁带、高热导率、高饱和电子速度,高击穿电场等特性决定了碳化硅器件可以在高温、大功率、强辐照场等极端恶劣的条件下工作,在聚变反应堆第一壁或偏滤器靶板上具有很大的应用潜力,因此研究碳化硅材料的辐照损伤特性具有非常重要的意义.
基于多模式扫描探针显微镜技术研究碳化硅的离子辐照损伤
【摘 要】
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碳化硅材料的宽禁带、高热导率、高饱和电子速度,高击穿电场等特性决定了碳化硅器件可以在高温、大功率、强辐照场等极端恶劣的条件下工作,在聚变反应堆第一壁或偏滤器靶板上具有很大的应用潜力,因此研究碳化硅材料的辐照损伤特性具有非常重要的意义.
【机 构】
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大连民族学院物理与材料工程学院,大连 大连民族学院物理与材料工程学院,大连 ;长春理工大学理学院,
【出 处】
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第十六届全国等离子体科学技术会议暨第一届全国等离子体医学研讨会
【发表日期】
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2013年1期
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会议
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会议
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会议
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会议
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会议
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会议