【摘 要】
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采用二次氧化法制备了多孔阳极氧化铝(AAO)模板,通过控电位沉积技术在AAO模板内组装了Ni-W-P合金纳米线阵列。扫描电子显微镜(SEM)下观察到Ni-W-P纳米线表面光滑,长约20μm,
【机 构】
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天津大学化工学院杉山表面技术研究室,天津 300072
【出 处】
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2007(第13届)全国电子电镀学术年会暨绿色电子制造技术论坛
论文部分内容阅读
采用二次氧化法制备了多孔阳极氧化铝(AAO)模板,通过控电位沉积技术在AAO模板内组装了Ni-W-P合金纳米线阵列。扫描电子显微镜(SEM)下观察到Ni-W-P纳米线表面光滑,长约20μm,直径均匀(约为100nm),与AAO模板孔径基本一致。阴极极化曲线和交流阻抗(EIS)测试结果表明,Ni-W-P合金纳米线阵列电极析氢反应电阻减小,具有更高的催化析氢活性,电流密度为10mA·cm<-2>时,析氧极化电位较Ni-W-P合金电极正移约250mV。
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