【摘 要】
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采用脉冲激光沉积技术在SrTiO3:Nb(NSTO)衬底上外延生长了ZnO 薄膜.NSTO/ZnO 异质结在小电压作用下显示为典型的整流特性,而在较大电压作用下出现双极性阻变和负微分电阻现象.NSTO/ZnO 异质结在未施加正向偏压时基本没有阻变回线,而伴随着正向偏压的增大,阻变回线逐渐变得显著,同时负微分电阻现象逐渐出现.更进一步,当偏压从负向正扫描时得到高阻态,反之亦反.针对NSTO/ZnO
【机 构】
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光伏材料省重点实验室和物理与电子学院,河南大学,河南,475004 材料科学重点实验室,中科院半导
【出 处】
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第十五届全国电介质、材料与应用学术会议
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采用脉冲激光沉积技术在SrTiO3:Nb(NSTO)衬底上外延生长了ZnO 薄膜.NSTO/ZnO 异质结在小电压作用下显示为典型的整流特性,而在较大电压作用下出现双极性阻变和负微分电阻现象.NSTO/ZnO 异质结在未施加正向偏压时基本没有阻变回线,而伴随着正向偏压的增大,阻变回线逐渐变得显著,同时负微分电阻现象逐渐出现.更进一步,当偏压从负向正扫描时得到高阻态,反之亦反.针对NSTO/ZnO 异质结中的上述现象,我们提出了界面态充放电模型,其中,界面未充电时ZnO 中的空间电荷区较宽,对应高阻态,而界面态完全填充时由于费米钉杂使得ZnO 中空间电荷区变窄,这时对应低阻态,直到电子从界面态释放掉一直维持低阻态.
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