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由于具有高的电子迁移率,宽的能带间隙和低的功耗,Ⅲ-Ⅴ半导体材料在高速和高频电子设备得到了广泛的应用[1]。在MOS结构中,Ⅲ-Ⅴ半导体材料和绝缘层之间界面由于热力学不稳定、存在高的界面态以及产生的费米钉扎现象,都极大限制了Ⅲ-Ⅴ半导体材料的应用。
Ⅲ-Ⅴ半导体界面钝化层材料生长机理的理论研究
【摘 要】
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由于具有高的电子迁移率,宽的能带间隙和低的功耗,Ⅲ-Ⅴ半导体材料在高速和高频电子设备得到了广泛的应用[1]。在MOS结构中,Ⅲ-Ⅴ半导体材料和绝缘层之间界面由于热力学
【机 构】
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河北科技大学理学院,石家庄,050018
【出 处】
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中国化学会第28届学术年会
【发表日期】
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2012年期
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