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本文通过不同偏振态的飞秒激光作用在SiC，ZnSe等材料上进行了纳米材料的制备研究。实验结果为:800nm和400nm的单偏振飞秒激光在6H—siC上可以产生纳米阵列结构，阵列周期分别为160nm和90nm；同时加载波长为800nm和400nm相互垂直的线偏振的飞秒光脉冲，根据二者的不同光强比，在ZnO和CdS上获得不同取向的纳米阵列结构。阵列周期常数与偏振光强比相关；加载圆偏振飞秒脉冲在6H—SiC上获得了纳米颗粒结构。本文还针对znSe材料的超快光电特性进行了泵谱一探测偏振差分探测，发现含有纳米结构的ZnSe的光电响应的频谱较体材料ZnSe的光电响应频谱向高频方向移动，并出现了新的谱带结构，响应速率达到Thz量级。