MIp-AlGaAs/p-n-n-GaAs太阳电池的理论I-V特性

来源 :2003年中国太阳能学会学术年会 | 被引量 : 0次 | 上传用户:wcxydm
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本文对新型高效率复合结构太阳电池进行了理论设计.首先设计了该电池的能带结构:在其MIp<+>-Al<,x>Ga<,1-x>As结构的Ⅰ层表面引入固定负电荷,并用减反射膜覆盖,使其将p<+>-Al<,x>Ga<,1-x>As层的空穴吸引到表面,使得该表面的能带向上弯曲,构成阻止电子向表面运动的感应势垒.由此,将感应结MIp<+>-Al<,x>Ga<,1-x>As与p-n-n<+>-GaAs级联构成一个新的整体电池.由连续性方程和电流方程组与相应的边界条件,以及能带结构模型,对方程组进行了数学处理.严格求得了电池的光生电流和暗电流的解析式,从而得到了电池的理论I-V特性的数学表达式J=J<,1>-J<,D>(V).根据所得到的理论结果,可以有效地优化设计本电池各区的几何结构和半导体材料参数,从而获得高效率的太阳电池.
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