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电场对磁性的调控不仅涉及重要的科学问题,而且对高密度、低功耗的新一代信息存储具有重要的意义.自旋阀结构在磁头及磁性随机存储器(MRAM)等器件中应用广泛,近年来有一些关于电场调控自旋阀结构中巨磁电阻(GMR)的报道,但大部分工作关注磁阻变化或自由层的性质,但关于电场对钉扎层的影响则较少涉及,这方面的研究对于理解电场对磁性的调控及优化GMR等有重要作用.本文基于此问题，对自旋阀结构中的钉扎层进行了研究。