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中波-长波-甚长波InAsGaSb超晶格三色红外探测器

来源 :第十一届全国分子束外延学术会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户：yuzheng80927

【摘 要】

：

本文研究了InAs/GaSb超晶格中波、长波以及甚长波三色红外探测器.器件在GaSb (001)衬底上生长,设备采用Gen-Ⅱ分子束外延(MBE)设备.Sb2和As2是裂解炉,Ga和In由SUMO源炉提供.

【作 者】

：

蒋洞微 向伟 国风云 郝宏玥 王国伟 于清江 徐应强 牛智川 

【机 构】

：

哈尔滨工业大学光电信息材料与量子器件实验室,哈尔滨150001中科院半导体所超晶格重点实验室,北京100083

【出 处】

：

第十一届全国分子束外延学术会议

【发表日期】

：

2015年8期

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本文研究了InAs/GaSb超晶格中波、长波以及甚长波三色红外探测器.器件在GaSb (001)衬底上生长,设备采用Gen-Ⅱ分子束外延(MBE)设备.Sb2和As2是裂解炉,Ga和In由SUMO源炉提供.该器件包含三个电极层,其中上中电极间为NIPIN结构用来进行中波和长波的探测,中下电极为NIP异质结结构用来进行甚长波探测.

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