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本文研究了InAs/GaSb超晶格中波、长波以及甚长波三色红外探测器.器件在GaSb (001)衬底上生长,设备采用Gen-Ⅱ分子束外延(MBE)设备.Sb2和As2是裂解炉,Ga和In由SUMO源炉提供.该器件包含三个电极层,其中上中电极间为NIPIN结构用来进行中波和长波的探测,中下电极为NIP异质结结构用来进行甚长波探测.