【摘 要】
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将Fe离子注入在蓝宝石衬底上MOCVD生长的p-GaN薄膜，所用能量为150keV，剂量为1×1016cm-2。对注入后的样品在N2气氛中进行700℃～1000℃的快速热退火处理，保温时间均为60s。利用XRD
【机 构】
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河北工业大学信息功能材料研究所,天津300130
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将Fe离子注入在蓝宝石衬底上MOCVD生长的p-GaN薄膜，所用能量为150keV，剂量为1×1016cm-2。对注入后的样品在N2气氛中进行700℃～1000℃的快速热退火处理，保温时间均为60s。利用XRD、FTIR、SEM对样品的微脱结构进行分析，发现注入Fe离子后并在800℃退火时GaN薄膜的晶格结构恢复最好。用VSM对样品磁性进行分析，发现注入Fe离子并退火后材料在室温下具有了磁性。
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