【摘 要】
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基于中国科学院微电子所0.18μm PDSOI CMOS工艺,实现一种超薄栅氧VSTI CMOS器件结构.电离总剂量辐照试验结果表明,300K rad(Si)辐照后NMOS器件的阈值电压漂移较小,关态漏电
【机 构】
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中国科学院微电子研究所,北京100029
【出 处】
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第一届全国辐射物理学术交流会(CRPS`2014)
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基于中国科学院微电子所0.18μm PDSOI CMOS工艺,实现一种超薄栅氧VSTI CMOS器件结构.电离总剂量辐照试验结果表明,300K rad(Si)辐照后NMOS器件的阈值电压漂移较小,关态漏电有所增大,但经125℃、24小时退火后可显著消除;PMOS器件前栅阈值和关态漏电无明显变化;NMOS和PMOS的背栅阈值电压在辐照后退化明显,但并不会影响器件的抗辐照性能.探讨了电离总剂量辐照对器件可靠性的影响。
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