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背栅阈值电压相关论文
0.18μm PDSOI CMOS器件电离辐照性能研究
基于中国科学院微电子所0.18μm PDSOI CMOS工艺,实现一种超薄栅氧VSTI CMOS器件结构.电离总剂量辐照试验结果表明,300K rad(Si)辐......
会议
CMOS
器件结构
电离辐照
阈值电压漂移
背栅阈值电压
总剂量辐照
中国科学院
抗辐照性能
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