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该文介绍了电子回旋并振等离子于体CVD半导体薄膜制备工艺，并对这种工艺下得到的SiN介质膜应力进行了研究。薄膜应力测试采用激光束偏转法和双折射法，其中激光束偏转法直观、简便，不受样品材料的限制，可以判定应力的张、压性质，双折射法应力测试分辨率高，能给出应力的方向。
ECRPCVD SiN薄膜应力特性研究
【摘 要】
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该文介绍了电子回旋并振等离子于体CVD半导体薄膜制备工艺，并对这种工艺下得到的SiN介质膜应力进行了研究。薄膜应力测试采用激光束偏转法和双折射法，其中激光束偏转法直观、简
【机 构】
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部五所
【出 处】
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第六届全国固体薄膜学术会议
【发表日期】
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1998年期
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