目前在聚合体太阳能电池研究中，被广泛使用的理想器件结构为本体异质结结构。通过给受体混合，在活性层内部可以有大量的给体/受体界面，这就大大降低了因激子扩散距离短而造成的淬灭[1-2]。 但是这同样导致了一个问题，在活性层与阳极的接触界面中，会有大量的受体材料(PCBM)与阳极界面接触。我们通过在活性层与阳极之间旋涂一层共轭聚合物(P3HT)， 制备了结构基于P3HT/P3HT：PCBM的本体异质结结构的器件(其结构如图1 所示)。这种P3HT层的添加不会影响活性层的形貌，但却有利于对太阳光谱的吸收，从而可以获得较大的短路电流。当P3HT层的厚度为6-8 nm时对器件短路电流的提升明显高于厚度为8-11 nm时。但是随着活性层厚度的增加，电流的提升越来越不明显。同时我们发现P3HT层的添加会增加整个器件的串联电阻从而影响器件的效率。通过综合考虑，当P3HT的厚度为6-8 nm时，活性层的厚度为140-160 nm时，对器件性能的提升是有利的。