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该文用带有盛镉尾管的升华法生长了CdS单晶。文中选用较低的生长温度Ts=1050℃,温度梯度△T=5~10℃,尾管温度Tcd=520℃得到了生长方向为<1010>,其它诸晶面为(1010),(0001)和(1120)的六方晶系CdS单晶,测量了(0001)的位错密度约为2.5×10[**]/cm,在77K的光致发光光谱上呈现很强的激子发射谱带。(本刊录)