【摘 要】
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ZnO作为一种重要的直接带隙宽禁带半导体材料,室温下禁带宽度为3.37eV,激子束缚能(60 meV)比室温下的离化能(26 meV)大得多,室温或更高温度下仍可实现有效的紫外光发射,
【机 构】
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辽宁师范大学 物理与电子技术学院,辽宁 大连 116029
【出 处】
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第12届全国发光学学术会议暨发光学相关产业研讨会
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ZnO作为一种重要的直接带隙宽禁带半导体材料,室温下禁带宽度为3.37eV,激子束缚能(60 meV)比室温下的离化能(26 meV)大得多,室温或更高温度下仍可实现有效的紫外光发射,因此,在紫外探测器、紫外激光器等紫外光电器件中具有广泛的应用.近年来,各种各样的ZnO形貌格外的引起科学家们的关注,例如：纳米线,纳米丝,纳米棒,纳米管.不掺杂的ZnO从本质上来说是N型的半导体,可是通过掺杂获得P型的ZnO纳米结构是非常困难的.虽然P型掺杂的ZnO薄膜已经有很多报道,但是P型掺杂的ZnO纳米结构的报道却很少.目前P型掺杂的ZnO纳米材料的制备严重限制了ZnO纳米器件在宽波段的应用和发展.本文采用简单的化学气相沉积方法制备出了高质量的磷掺杂ZnO纳米梳.这为ZnO基纳米光电器件的实现提供了一种可行的方法.
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