双层流延法制备BTO-STO多层复合陶瓷及其性能研究

来源 :第十六届全国高技术陶瓷学术年会暨景德镇高技术陶瓷高层论坛 | 被引量 : 0次 | 上传用户:wzjjp
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钛酸锶钡是一种具有钙钛矿结构的铁电材料,在外加直流偏置电场作用下,钛酸锶钡(BSTO)的介电常数随着电场强度增加而降低,是目前相控阵天线移相器材料的研究热点。本工作以双层流延法制备了具有STO-BTO-STO-BTO-STO-…的多层叠合钛酸锶钡陶瓷,并通过控制多层陶瓷材料的烧结温度、烧结时间,以获得烧结后钛酸锶、钛酸钡双层扩散成分梯度分布的陶瓷材料,从而达到调节介电性能的目的。双层流延法制备的钛酸锶钡叠层材料通过介电性能测试发现,BTO-STO复合结构大大降低了材料的介电常数,样品介电常数均可降至300以下,最低可达210,介电损耗tanδ可降至0.02以下。BTO-STO多层陶瓷的介电可调性也有较大幅度的降低。该现象可由介质混合法则解释。通过SEM的分析结果可以看到清晰BTO-STO周期层状结构。经烧结后流延层间结合紧密。随着烧结温度的提高,烧结时间的增加,试样晶粒明显长大,而层间界线也更为模糊。
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