【摘 要】
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本文采用P型毛硅片取代Spiro-OMeTAD，作为空穴传输材料(P型层)，电池结构为Al/Si/CH3NH3PbI3/ITO。并优化各层的工艺参数，其中包括:背面铝电极的退火温度、退火时间，硅片去损时间，
【机 构】
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中国科学院大学,材料科学与光电技术学院 101400
【出 处】
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第十四届中国光伏大会暨2014中国国际光伏展览会
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本文采用P型毛硅片取代Spiro-OMeTAD，作为空穴传输材料(P型层)，电池结构为Al/Si/CH3NH3PbI3/ITO。并优化各层的工艺参数，其中包括:背面铝电极的退火温度、退火时间，硅片去损时间，旋涂法制备平面钙钦矿层时的转速以及衬底和旋涂溶液温度，射频溅射ITO透明导膜的衬底温度，溅射功率等，初步获得了该原型电池转换效率3.2％。并尝试增加Zn0层来优化电池结构，提高电池开压，电池结构为Si/CH3NH3PbI3/Zn0/ITO，优化各层工艺参数，实现全过程低温制备。
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