快恢复二极管是一类很重要的开关器件，目前已在各种电子设备特别是开关电源中广泛应用。随着开关器件的不断进步，工作频率的不断提高，对相关功率二极管性能的要求也越来越高，其中尤以与开关器件匹配使用的功率二极管要求最为特殊，该二极管的反向恢复特性，如反向恢复时间、反向恢复软度，可显著的减少功率损耗，由于IGBT VDMOS开关速度快，因此要求快恢复二极管不仅反向恢复要很快，而且要求软特性，以避免产生高的电压尖峰，避免产生射频干扰和电磁干扰。如何提高器件的软恢复特性成为快恢复二极管的新课题。我国至目前为止还没有商业化的批量生产，成规模的IGBT封装厂所用的快恢复二极管也完全依赖进口，因此实现该产品的稳定批量生产，对国内节能、变频、及汽车电子等行业的国产化起着至关重要的作用。