单晶石墨烯的可控制备与电性能研究

来源 :第17届全国晶体生长与材料学术会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户:aulxbdmmydb
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  石墨烯,作为一种完美的二维晶体因其独特的结构引起了科学界的广泛关注.石墨烯的载流子类似于相对论粒子,具有室温量子霍尔效应,载流子浓度高达1013cm-2,胶带剥离的石墨烯的载流子迁移率超过2.0 x 105cm2/Vs,比半导体工业中常用的硅高出100倍,单层石墨烯晶体管的截止频率高达427GHz,热导率是铜的10倍,光的透过率可达97.7%,强度是钢的100倍.但石墨烯在电子学方面的真正应用尚有一些基本科学问题亟待解决,如:大面积、单晶、层数可控的石墨烯的制备;石墨烯为零带隙的半导体,基于石墨烯的场效应晶体管在室温下的开关比往往小于10,限制了它们在数字电路中的应用,如何打开石墨烯的带隙?与微电子加工技术的工艺兼容性问题等.本报告将介绍我们在单晶石墨烯的可控制备和电性能研究方面的一些结果[1-9].
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