【摘 要】
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控制单脉冲能量350mJ,脉冲频率为5Hz,控制合适的基底温度,利用脉冲激光沉积法制备出BiTiO薄膜材料.结果发现,SiO基底温度控制在500~600℃,均能获得纯的BiTiO薄膜.其介电常数约18.2左右,随频率变化比较稳定,介电损耗约0.015左右,并且在紫外波段200nm—450nm有着较强的紫外吸收能力,有望在微电子器件中获得应用.
【机 构】
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清华大学材料系新型陶瓷与精细工艺国家重点实验室(北京)
【出 处】
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第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议
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控制单脉冲能量350mJ,脉冲频率为5Hz,控制合适的基底温度,利用脉冲激光沉积法制备出Bi<,2>Ti<,2>O<,7>薄膜材料.结果发现,SiO<,2>基底温度控制在500~600℃,均能获得纯的Bi<,2>Ti<,2>O<,7>薄膜.其介电常数约18.2左右,随频率变化比较稳定,介电损耗约0.015左右,并且在紫外波段200nm—450nm有着较强的紫外吸收能力,有望在微电子器件中获得应用.
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