【摘 要】
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对ZnCdO合金薄膜进行了XRD、PL谱测试,并对合金薄膜能带工程从半导体物理角度出发进行了较深入研究,提出了固溶范围内其带隙E与Cd组分含量x之间的关系:E(x)=3.29664-1.21687x+1.25539x(0·x·0.6,而其晶胞参数c与Cd组分含量x之间的关系符合Végard定律,即有:c(x)=0.5229+0.00357x(0·x·0.6).
【出 处】
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第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议
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对Zn<,1-x>Cd<,x>O合金薄膜进行了XRD、PL谱测试,并对合金薄膜能带工程从半导体物理角度出发进行了较深入研究,提出了固溶范围内其带隙E<,g>与Cd组分含量x之间的关系:E<,g>(x)=3.29664-1.21687x+1.25539x<2>(0·x·0.6,而其晶胞参数c与Cd组分含量x之间的关系符合Végard定律,即有:c(x)=0.5229+0.00357x(0·x·0.6).
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