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会议论文
硅高速分频器的工艺研究
硅高速分频器的工艺研究
来源 :第十二届全国半导体集成电路硅材料学术会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户:daijiangduck
【摘 要】
:
采用2μm硅双极工艺研制的全温下8分频的静态分频器,工作频率可达2.4GHz/350mw.晶体管的特征频率达7.0GHz,该氧化物隔离多晶硅接触工艺在高速数字,模拟混合电路的研制中有广
【作 者】
:
李荣强
冯兆兰
张正璠
【机 构】
:
信息产业部电子第二十四研究所(重庆)
【出 处】
:
第十二届全国半导体集成电路硅材料学术会议
【发表日期】
:
2001年期
【关键词】
:
静态分频器
推广前景
特征频率
混合电路
工作频率
工艺研制
高速数字
氧化物
晶体管
多晶硅
双极
模拟
隔离
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采用2μm硅双极工艺研制的全温下8分频的静态分频器,工作频率可达2.4GHz/350mw.晶体管的特征频率达7.0GHz,该氧化物隔离多晶硅接触工艺在高速数字,模拟混合电路的研制中有广泛的推广前景.
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