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本文介绍了采用键合-背面腐蚀的方法制备SOI材料(BESOI),硅膜的厚度为8μm,绝缘层SiO<,2>厚1.3μm,用于集成光波导器件和功率分配器的研制.
用于集成光波导的SOI材料制备
【摘 要】
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本文介绍了采用键合-背面腐蚀的方法制备SOI材料(BESOI),硅膜的厚度为8μm,绝缘层SiO厚1.3μm,用于集成光波导器件和功率分配器的研制.
【机 构】
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中国科学院上海冶金研究所
【出 处】
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第四届全国微米/纳米技术学术会议
【发表日期】
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2000年期
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