TiO薄膜的制备

来源 :第十一届全国高技术陶瓷学术年会 | 被引量 : 0次 | 上传用户:xqqsamsung
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Ti<,3>O<,5>是TiO<,X>材料中相对较稳定的晶型,是一种潜在的氧敏材料。与传统的TiO<,2>、ZRO<,2>材料相比,具有阻温特性好的优点。通过H<,2>还原TiO<,2>来制备Ti<,3>O<,5>薄膜,主要研究了不同还原温度和保温时间对保温时间对薄膜晶相组成的。并对Ti<,3>O<,5>薄膜的导电性、电阻-温度稳定性及在氧化气氛中的晶格稳定性作了初步分析。
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该文讨论了SiN陶瓷在加湿空气中氧化对其元素分布的影响,对氧化后试样的元素分布测表明。Y、AL在氧化过程中向表面氧化层扩散。
用透射电子显微镜研究了TiSiC材料中TiSiC与TiC的界面关系。结果表明TiC和TiSiC颗粒都可能生长在另一相中,TiSiC中的TiC颗粒与TiSiC没有明显的晶体学关系,而TiC中的TiSiC与TiC之间有晶体学关系。
该文采用超声波加工技术对SiC晶须增韧AlO陶瓷材料进行加工,研究了晶须的取向对加工机理、材料去除和加工表面质量的影响。结果表明:超声波加工晶须陶瓷材料时,材料去除率与晶须的取向有关。当以θ=0°平面(θ为所研究平面与垂直于热压方向平面之间的夹角)作为加工面时,材料的去除率最大;而当以θ=90°平面作为加工面时,材料的去除率最小。加工表面粗糙度的变化趋势与材料去除率的变化一致。进一步分析仪表明与晶
从TiC和TiSiC的晶体结构出发,分析了析出的TiC晶粒与TiSiC粒晶的位相匹配关系和析出行为,研究了TiC晶粒的析出对TiSiC材料力学性能的影响。研究发现,TiC在TiSiC的基面上析出,二者之间的界面分别为TiC和TiSiC中Ti原子的密排面,而且错配度较低。TiC相的析出会降低TiSiC材料硬度和韧性。
提出了关于TiSiC晶粒生长的模型。在TiSiC晶粒的生长中,TiSiC八面体可以作为一个独立的生长单元,TiC八面体的联接方式(如共同面、共棱、共顶)将会对TiSiC的生长形貌和生长行为产生很大的影响。