【摘 要】
：
IGBT器件稳定的阻断特性是其高可靠性的基本保障,也是其能够作为功率开关的必要条件.引起IGBT器件阻断特性不稳定性的原因很多,比如寄生晶闸管闩锁、击穿蠕变现象等.某颗1200
【机 构】
：
电子科技大学 电子薄膜与集成器件国家重点实验室,四川 成都 610054
【出 处】
：
2014`全国半导体器件产业发展、创新产品和新技术研讨会暨第七届中国微纳电子技术交流与学术研讨会
论文部分内容阅读
IGBT器件稳定的阻断特性是其高可靠性的基本保障,也是其能够作为功率开关的必要条件.引起IGBT器件阻断特性不稳定性的原因很多,比如寄生晶闸管闩锁、击穿蠕变现象等.某颗1200V NPT型Trench结构IGBT芯片在实际应用中器件失效,对其同批次芯片进行测试发现某些器件阻断特性不稳定,击穿I-V曲线异常.对该芯片进行了一系列的测试分析,找出其阻断特性不稳定的可能性原因.经过对多组测试实验结果分析论证，该1200V NPT型Trench结构IGBT芯片阻断特性不稳定是其在实际应用中失效的主要原因。IGBT芯片阻断特性不稳定是由于元胞设计不合理引起，P基区掺杂浓度较低，基区压降较大，IGBT器件寄生晶体管易触发;同时在器件电流很大时大量少数载流子易影响P基区未耗尽部分有效掺杂浓度，即易影响器件耐压。
其他文献
遵循高职人才培养目标,以突出学生职业能力培养为导向,进行PLC控制系统设计与调试课程教学改革,努力打造以学生为中心的“金课”.针对当前高职学生在传统教学过程中学习动力
逆变焊接电源是电力电子技术应用的新领域.其中,IGBT是实现焊接电源的主要开关器件.本文以实验室研发的IGBT为依据,首先给出了系统结构框图,并对其工作原理进行了理论分析.基
好的课程是知识和技能的载体,开设和实施的成效直接影响人才培养质量.企业参与学校课程的开设与实施将大大缩短人才供需在知识和技能上的距离,就校企产教融合背景下校企在课
绝缘栅双极晶体管(IGBT)结合了MOSFET的栅极电压控制特性和BJT的低导通电阻特性,在电网控制中得到越来越广泛的应用,尤其是1700V和3300V电压等级的IGBT模块.本文研究了3300V
建筑是国家未来的朝阳产业,在我国居民对居住品质要求日益提高的大背景下,建筑行业的人才缺口难以与社会实际需求匹配,高校建筑工程技术专业在此背景下承担着社会各界的期望
请下载后查看，本文暂不支持在线获取查看简介。生命系列@曾培尧
Please download to view, this article does not support online access to view profile. Life Series @ Z
载流子存储层(Carrier Stored Layer-CSL)可以改善IGBT导通态载流子分布,降低通态电压,但影响器件阻断能力.本文在CSL层下方近哑元胞侧设计了P型埋层(P Buried Layer-PBL),利
本文记述煤矸石工业性压实试验情况,从而研究下列因素对矸石的影响:如压实能量、振动和非振动碾压机,碾压机的压实趟数、层厚、矸石种类、矸石粒度分布等。上述试验中所获得
本文提出了高压绝缘栅双极晶体管(IGBT)的设计方法,根据国内现有工艺水平,设计了1700V/100A高压大电流的NPT-IGBT.击穿电压达1800 V以上,栅发射极漏电流小于80 nA、关断时间
总体判断,推动这一轮干散货繁荣的动力在2008年没发生根本的变化,因而对明年依然持有乐观的态度。油轮运输市场表现出与干散货市场冰火两重天的状态。多种因素导致海运企业涨