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该文主要研究高剂量氧离子（１．８－２．５＊１０〈’１８〉Ｏ〈’＋〉／ｃｍ〈’２〉注入ｎ－Ｓｉ（１００），形成ＳＯＩ－ＳＩＭＯＸ（Ｓｉｌｉｃｏｎ ｏｎ Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ－Ｓｅｐｅｒａｔｉｏｎ ｂｙ Ｉｍｐｌａｎｔｅｄ Ｏｘｙｇｅｎ）材料的表面Ｓｉ单晶薄层的电学性能。用扩展电阻和霍耳测量，研究了不同的注入条件和退火条件对表面Ｓｉ单晶层的载流子度和迁移率的影响。