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该文主要研究高剂量氧离子(1.8-2.5*10〈’18〉O〈’+〉/cm〈’2〉注入n-Si(100),形成SOI-SIMOX(Silicon on Insulator-Seperation by Implanted Oxygen)材料的表面Si单晶薄层的电学性能。用扩展电阻和霍耳测量,研究了不同的注入条件和退火条件对表面Si单晶层的载流子度和迁移率的影响。