【摘 要】
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研制成功了辐照加固的8位PDSOI80C51微控制器(单片机)-J80C51RH,其采用intel MCS-51系列微控制器的内核进行设计,功能完全兼容intel MCS-51系列80C51微控制器。J80C51RH由约
【机 构】
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中国科学院微电子研究所,北京 100029
【出 处】
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第九届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术年会
论文部分内容阅读
研制成功了辐照加固的8位PDSOI80C51微控制器(单片机)-J80C51RH,其采用intel MCS-51系列微控制器的内核进行设计,功能完全兼容intel MCS-51系列80C51微控制器。J80C51RH由约为11万个MOSFETs组成,采用辐照加固的1.2μm PDSOI CMOS工艺技术制备,其工作频率可达33MHz,经辐照试验证明,该微控制器首次在国内实现抗总剂量辐照能力在1×10<6>rad(Si)以上,完全可以满足军事及航空航天电子系统的要求。
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