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利用ISE-TCAD软件对SiGe HBT基区杂质外扩对器件性能的影响和Si和GeSi本征层对基区杂质外扩的阻挡作用、差异和优化进行了模拟，建立了SiGe HBT基区杂质外扩模型，并从实验上证实了模型的正确性。
SiGe异质结双极晶体管基区杂质外扩及缓冲层优化
【摘 要】
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利用ISE-TCAD软件对SiGe HBT基区杂质外扩对器件性能的影响和Si和GeSi本征层对基区杂质外扩的阻挡作用、差异和优化进行了模拟，建立了SiGe HBT基区杂质外扩模型，并从实验上证实
【机 构】
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北京工业大学电子信息与控制工程学院(北京)
【出 处】
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中国电子学会可靠性分会第十届学术年会
【发表日期】
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2000年期
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