【摘 要】
：
本文报道了微腔对Ge量子点常温光荧光的调制特性.生长在SOI硅片上的Ge量子点的常温光荧光呈多峰分布,随波长增加,峰与峰之间的间隔增加.这种多峰结构与SOI硅片所形成的微腔有关,只有满足特定波长的光荧光才能透出腔体并被探测器搜集.模拟结果与实验结果吻合的很好,变功率实验也进一步证实了我们的结论.
【机 构】
：
中国科学院半导体研究所集成光电子国家重点实验室(北京)
【出 处】
：
第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议
论文部分内容阅读
本文报道了微腔对Ge量子点常温光荧光的调制特性.生长在SOI硅片上的Ge量子点的常温光荧光呈多峰分布,随波长增加,峰与峰之间的间隔增加.这种多峰结构与SOI硅片所形成的微腔有关,只有满足特定波长的光荧光才能透出腔体并被探测器搜集.模拟结果与实验结果吻合的很好,变功率实验也进一步证实了我们的结论.
其他文献
利用低温分子束外延技术在GaAs(001)上外延生长出厚度为500nm的稀磁半导体(Ga,Mn)As薄膜,双晶X-射线衍射证明其为闪锌矿结构,晶格参数为0.5683nm,据此推导出其Mn含量为7﹪.磁测量结果揭示其铁磁转变温度为65K.观察了低温退火处理对(Ga,Mn)As磁性质的影响,发现生长后退火处理显著提高了其铁磁转变温度,可以达到115K.
采用FHD法在Si片上淀积GeO-SiO薄膜,经过高压掺氢处理以后,用KrF准分子激光脉冲进行辐照,研究其光敏特性.利用可变角椭偏仪(VASE)分析了光照前后薄膜的折射率和吸收损耗变化情况.
绝缘体上的锗硅技术(SiGe on Insulator,SGOI)和以它为衬底开发的应变硅技术(Strained Silicon on Insulator,sSOI)融合了SiGe技术和SOI技术二者的优点,是近年来人们广泛重视的研究热点和硅基集成电路产业进一步发展的重要研究方向,被ITRS列入CMOS技术今后几年发展的路线图.本文综述了SGOI薄膜的多种制备方法和最新研究进展.
用Raman微区拉曼谱和SEM研究了等离子体化学气相沉积法(PECVD)沉积的SiO薄膜退火显微形貌.结果表明:SiO薄膜高温破损与Si纳米线(SiNWs)的OAG(Oxide-assisted growth)机制生长相关,并提出了用PECVD法沉积SiO薄膜经过高温退火生长SiNWs的一种无需金属催化,与硅集成工艺兼容的新方法.
本文对EPW腐蚀液中低温掩膜层材料的选择进行了讨论.结果表明,PECVD生长的二氧化硅的可以作为深孔腐蚀的掩膜层,但是侧向腐蚀严重,与铬金组合成双重掩膜层可以解决该问题,掩蔽特性良好.
用等离子体增强化学汽相沉积(PECVD)方法成功实现硅纳米线的掺P.选用Si片作衬底,硅烷(SiH)作硅源,磷烷(PH)作掺杂气体,Au作催化剂,生长温度440℃.基于气-液-固(VLS)机制我们探讨了掺P硅纳米线可能的生长机制.PECVD法化学成分配比更灵活,更容易实现纳米线掺杂,进一步有望生长Si纳米线pn结,为研制纳米量级器件提供技术基础.
本文对自对准InGaP/GaAs HBT单片集成跨阻放大器进行了研究,采用发射极金属做腐蚀掩膜并利用GaAs腐蚀各向异性的特点来完成BE金属自对准工艺,单指管子电流增益为80,发射极面积3.6um×6um的单管在V=2V偏压条件下截至频率达到了60GHz.我们设计并制作了单片集成跨阻放大器电路,测量得到的跨阻增益在3dB带宽频率时为59.3dBU,3dB带宽为9.4GHz,输出反射系数小于—9dB
本文分析了单片互推式振荡器的设计原理,阐明了设计步骤,利用55所的0.5um GaAs PHEMT的管芯模型设计了工作频率为52.56GHz的MIMIC互推式振荡器,仿真结果表明该种振荡器具有工作频率高、负载迁移小、结构紧凑等优点.
本文简述卧式常压氧化炉炉温控系统的组成及工作原理,并为该系统故障的排查提供诊断方法.
本文分别介绍了东京电子扩散炉与TMX-9000扩散炉氢氧点火系统的组成及工作原理,并为故障的排查提供了分析方法.