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利用Ar<+>溅射沉积技术在HgCdTe表面实现了低温ZnS介质薄膜的生长。在同一HgCdTe表面分别用ZnS介质膜、HgCdT
e自身阳极氧化膜进行表面钝化。利用职权光电导衰退技术测量了两种不同表面钝化的薄HgCdTe晶片的非平衡栽流子寿命，并通过光电导衰减信号波形的拟合，得到了两种不同表面钝化的HgCdTe表面复合速度。实验结果表明，这里获得的ZnS介质膜HgCdTe界面质量已达到了成熟的自身阳极氧化膜/ZnSHgCdTe界面质量水平。