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在对CIGS薄膜太阳能电池的研究实验中，大量实验证据表明在晶界面存在导带与价带的向下偏转，这种特殊的能带结构在晶界面形成空穴势垒，甚至在晶界附件形成p-n型反转，导致空穴的耗尽层，从而减少了在晶界面的光激发的电子与晶界面位置空穴的重新复合，减少了多晶薄膜晶界面对太阳能电池性能的影响。在本项目研究中，利用具有纳米空间分辨的测量方法扫描隧道显微镜的扫描隧道谱，导电针尖原子力显微镜对CZTS薄膜晶粒，晶界面的微观电学性质进行了多方面的测量，利用实验结果量化分析薄膜在晶界面导带，价带偏转，了解CZTS薄膜在晶界面的能带结构。发现CZTS导带在晶界面存在向下偏转，与CIGS相似的同时，CZTS价带在晶界面存在向上偏转，与CIGS完全相反。这一能带结构不仅不能在晶界面形成空穴势垒，反而提高了晶界面的空穴浓度。