【摘 要】
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通过适当控制工艺条件，在垂直定向碳纳米管上生长出一层纳米石墨层。并通过转移工艺，将该薄膜翻转移植到玻璃衬底，从而利用该纳米石墨层作为导电电极。垂直定向碳纳米管膜的方块电阻约为1500Ω/□，当其表面生成一层纳米石墨层时，其方块电阻降低到300Ω/□。估算这一层纳米石墨层的方块电阻约为400Ω/□。透射电子显微镜(TEM)分析表明该纳米石墨层是一层有缺陷的少数几层石墨烯(FLG)构成，其石墨化程度与
【机 构】
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西安交通大学电信学院微电子学系 西安交通大学机械学院机械制造系统工程国家重点实验室
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通过适当控制工艺条件，在垂直定向碳纳米管上生长出一层纳米石墨层。并通过转移工艺，将该薄膜翻转移植到玻璃衬底，从而利用该纳米石墨层作为导电电极。垂直定向碳纳米管膜的方块电阻约为1500Ω/□，当其表面生成一层纳米石墨层时，其方块电阻降低到300Ω/□。估算这一层纳米石墨层的方块电阻约为400Ω/□。透射电子显微镜(TEM)分析表明该纳米石墨层是一层有缺陷的少数几层石墨烯(FLG)构成，其石墨化程度与生长的碳纳米管相当。根据文献报道，从其厚度判断，该纳米石墨层应该有一定的透明度。另外由于所有的碳纳米管都从平整的Si/SiO2衬底表面开始生长，当将该薄膜翻转并利用原来的根部作为发射尖端时，这些发射尖端非常整齐，高度非常均匀，原则上有利于场发射均匀性。由于转移过程中，由于相互间范德华力的作用，碳纳米管出现聚集，影响了其均匀性的提高。这将是下一步的研究工作。
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