论文部分内容阅读
描述了AlGaN/GaN双异质结HEMT在室温，300℃和500℃下的工作性能。栅长为1.5-1.75μm、沟道长度为3μm器件的最大漏源电流和非本征跨导在室温下、300℃和500℃下的数值分别为1100mA/mm 270mS/mm，500mA/mm 120mS/mm和120mA/mm 70mS/mm在室温下夹断点附近 的漏源击穿电压为80V。