GaN材料相关论文
对多种结构AlGaN/GaN HEMTs施加直流偏置应力,研究AlGaN/GaN HEMTs电流崩塌效应的变化规律,并进一步研究电流崩塌效应的产生机理.S......
由于现有商用在线弯曲测量仪的局限性，为了能更好的了解图形Si衬底GaN外延生长过程中的应力变化，我们设计制造了在线弯曲测量仪，并得......
本工作在3维空间中模拟了行星式水平MOCVD反应室生长GaN基材料的流场,热场,反应物与生成物的分布以及材料生长速率等重要物理参数.......
GaN材料是第三代半导体材料,具有宽的带隙、强的原子键、高的热导率、化学稳定性好等性质.本文介绍GaN材料的化学特性、结构、光学......
利用低压金属有机化合物气相外延(LP-MOVPE)设备获得了高质量的InGaN/GaN多量子阱(MQW)结构的蓝光发光二极管(LED)材料.在此基础上......
用氢化物气相外延 (HVPE)方法在Si(III)衬底上成功横向外延生长出晶体质量较好的GaN薄膜材料。透射电子显微镜 (TEM )的研究结果表......
采用氧化镓(Ga2O3)为主要原料,以氧化铕(Eu2O3)为掺杂剂,在微波水热条件下合成了亚微米级前驱体。然后经高温氨化合成纤锌矿结构Ga......
InGaN材料具有优良的物理特性、化学特性、光学性质、电学性质以及优异的材料机械特性。它的禁带宽度大、击穿电场高、电导率大等......
LDD(Low-Density Drain)结构首次提出是在1978年,该结构最早多应用在MOSFET器件上,用来提升器件的击穿电压。伴随着第三代半导体Ga......
半导体材料,作为半导体技术的基础和支撑,从半导体科技发展以来就扮演着重要的角色。自1947年,世界上第一只半导体锗(Ge)材料晶体......
综述了GaN材料中离子注入的研究进展,重点介绍了离子注入技木在 GaN材料中的发光(PL,EL,CL)研究,注入隔离,p-型/n-型掺杂和深能级......
第三代半导体材料GaN由于其优良性质,使其在光电子、高温大功率器件、高频微波器件、抗辐射和高密度集成的电子器件领域有良好......
GaN是一种新型宽禁带材料，具有禁带宽度大、击穿电场高、热导率高等特点。非常适合于制作高频、大功率器件。本文介绍了GaN材料......
随着超高亮度发光二极管和晶体管技术的成熟，利用发光二极管(LED)进行半导体照明逐渐成为可能。由于应用领域的不断扩大，对发光二极......
GaN基高电子迁移率晶体管在高温、高频率和高功率电子工业应用方面表现出了巨大的潜力，引起各国研究机构和公司的关注，并且目前已经......
该文对(111)晶向Si衬底上GaN外延层的生长和Si基GaN紫外探测器进行了系统的研究,在材料生长和器悠扬的研制上都取得了一些有意义的......
以氮化镓(GaN)为代表的Ⅲ族氮化物是当代最重要的半导体材料，它在全彩显示、半导体照明、军事、数字化存储等领域有着重要的用途。G......
第三代半导体材料GaN，具有直接带隙、大禁带宽度(室温下3.39eV)、强击穿电场(3 MV/cm)、高电子饱和漂移速度(3×107 cm/s)、和良好......
近年来，Ⅲ族氮化物（AlN，GaN和InN）及其合金由于其在发光器件，光电子器件及高功率器件上的巨大的应用价值而受到广泛的关注。然而，Ⅲ族氮......
由于在光电子器件、功率电子器件、高频微波器件等方面的巨大应用价值，以GaN为代表的Ⅲ族氮化物受到广泛的关注。和传统半导体不同......
第三代半导体材料中，GaN材料具有击穿电压高、迁移率高、电子饱和速度大等优良特点。近年来AlGaN/GaN HEMT的研究已经取得很大的进......
GaN作为典型的第三代半导体材料，具有禁带宽度大、击穿电压高、耐高温及抗辐照等优点。尤其是其与AlGaN材料制作的高电子迁移率晶体......
GaN材料作为一种第三代半导体材料,具有宽禁带、高电子饱和漂移速度和高击穿场强等优点,目前被广泛用于研制各种光电器件和高温、......
基于半导体P-N结的直接能量转换式同位素电池的研究最早开始于上个世纪50年代。随着微机械电子系统(MEMS)技术的快速发展,硅(Si)基......
GaN材料由于具有带隙宽、临界击穿电场高、饱和电子漂移速度高等优秀的材料特性,使GaN基器件在耐压和微波领域成为了研究热点。为......
GaN材料基于其优异的特性,得到了全世界科研人员的广泛关注,使得其在发光器件、传感器、高温高频大功率器件、场发射等方面都获得......
GaN材料物理性质化学性质非常稳定，并具有很高的饱和电子漂移速度，高击穿场强，高热导率等制备器件所必须的优良特性。所以在制造蓝光，......
用有限元分析法模拟计算Al2O3/GaN的激光剥离,分析了采用不同能量密度脉冲激光辐照时GaN材料内的瞬态温度场分布.采用波长248 nm的......
GaN半导体技术是具有战略性、先导性等显著特性的新一代半导体芯片技术。因GaN材料具有宽禁带宽度、高功率密度、强击穿电场等优势......
GaN紫外探测器具有可见光盲、量子效率高、可在室温下工作、耐高温性和耐化学腐蚀性好、抗辐照能力强等优点，在宇宙飞船、火灾监测......
目前，GaN材料已经广泛的应用于蓝光和白光LED的大规模生产之中，其相关的工业技术已经成熟，2007年，市场共消费了约500万个2in晶片。除LE......
采用脉冲激光沉积技术，在Al2O3衬底上生长GaN薄膜，利用X射线衍射（XRD）、原子力显微镜（AFM）研究不同沉积温度、不同沉积压强对所生长的GaN......
以氮化镓为代表的第三代直接带隙半导体材料具有宽禁带、高发光效率、高电子漂移饱和速度、高热导率、高耐温性、强抗辐射和稳定的......
成立于1994年3月的南昌大学材料科学研究所于2001年4月建立了教育部发光材料与器件工程研究中心，研究工作涵盖发光材料制备、发光器......
介绍了集散控制MOCVD系统的研究和应用.该设备是生长半导体材料GaN的关键设备.文中重点探讨了用PLC实现该设备的控制系统,并给出了......
宽带隙半导体GaN材料在光电子等方面有重要应用，采用Li3N号Ca同时作为助熔剂的熔盐法，可在温和条件下生长毫米级的GaN块单晶。为避免......
介绍了GaN材料的优良特性以及工艺上存在的问题;着重介绍了GaN微电子器件的历史发展和最新发展;GaN微电子器件发展表现出较大应用......
采用低压金属有机化学气相沉积法在蓝宝石（0001）衬底上生长2—5μm厚度的P-AlxGa1-xN／GaN层（0〈x≤0．4），在AlxGa1-x划层中的Al浓度为0．2〈x......
电力电子器件是电力电子技术的核心．其主要功能是通过器件的高速开关完成各种电能形式的相互变换。随着科技的进步．人类的电力使用与......
通过实例介绍运用高分辨X射线衍射分析技术对GaN异质外延薄膜材料的微结构进行研究，希望能获得不同缓冲层生长与优化工艺以及结构模......
